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制備納米材料的方注體現在兩方面:
   首先,它采用波長較短的激光,光子能量較高,脈沖加熱在稚間內( 10-6S)使靶材原子不經過液態就脫離靶材,不用坩堝且激光在靶材表函自如;
   其次,可以很方便地制備單質納米粉、合金粉、分層包覆復合納米粉、間化合物納米粉,而且還能用制備納米纖維和納米管。這些納米材料的尺寸夕分布主要是由激光脈沖頻率這一工藝因素所決定。已有研究表明,在其他參婁的條件下,隨著脈沖頻率的增大,晶粒平均尺寸減小,且晶粒尺寸分布更均套網7-8所示。這主要是因為高的激光脈沖頻率使得粒子間碰撞加劇,有效地減少了,大顆粒的形成,也阻礙了納米晶粒的增大過程,導致納米晶粒平均粒徑減小,薄膜中晶粒尺寸的分布范圍減小,從而晶粒尺寸分布更趨均勻。

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